일반기술
유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
본 발명은 기판 상단면 일측에 게이트 전극이 형성되는 단계; 상기 게이트 전극이 포함되는 상기 기판 상단면에 절연막이 형성되는 단계; 상기 절연막 상단면에 저온 원자층 증착방법을 사용하여 무기 채널층이 형성되는 단계; 상기 무기 채널층 상단면 양측에 금속전극 소스와 금속전극 드레인이 형성되는 단계; 및 상기 절연막 상단면, 무기 채널층의 상단면과 측면 및 금속전극의 상단면과 측면에 무기 절연보호막이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터는 종래의 유기 전계효과 트랜지스터와 비교하여 높은 이동도를 갖는 무기 채널층이 형성되어 소자 동작속도가 크게 향상되고, 소자 동작 전압을 줄일 수 있는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-12-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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