일반기술
발광소자용 은 도핑된 산화아연 반도체 및 이의 제조방법
본 발명에 의한 발광소자용 은 도핑된 산화아연 반도체는 은이 도핑된 산화아연 박막으로 이루어지며, 이때 상기 은의 도핑은 아연산화물에 은을 1 내지 4WT%의 범위로 첨가하여 이루어진다. 또한, 은을 산화아연에 도핑하여 P형 산화아연 박막을 성장시키고, 이의 상부에 산화아연 박막을 형성하여 N형 산화아연 박막을 성장시켜 P-N 접합소자를 제조할 수도 있다. 또한, 이러한 제조공정을 반복함으로써 NPN형, PNPN형, NPNP형 등의 다층 발광소자를 제조할 수도 있다. 상기 박막은 교류 스퍼터링법, 펄스 레이저 증착법 등을 포함한 물리적 증착법이나 화학적 증착법으로 제조될 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-12-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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