일반기술
란탄족원소와 알루미나를 이용한 비휘발성 메모리소자의 제조방법
기존 SONOS-type 비휘발성 메모리 소자에 적용되었던 ONO (SiO2/Si3N4/SiO2) 구조를 Al2O3/La2O3/Al2O3 로 바꾸어 기존의 전하 트랩 특성을 확보하면서 저온증착과 공정 프로세스를 간단히 하였다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 세라믹재료
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-12-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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