일반기술

다공성 실리콘 및 이의 제조방법

본 기술은 단차가 구비된 다공성 실리콘 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘에 불순물 주입을 실시하고 전해질액에 침지시킨 후 양극산화를 통하여 실리콘의 전기저항치를 변화시킴으로써 기공의 직경을 조절하거나 실리콘 두께방향으로 직경이 달라지는 각 기공이 정렬되도록 형성된 수직정렬형 다공성 실리콘 및 이의 제조방법에 관한 것이다.본 기술은 실리콘의 상단면을 관통하는 제 1 기공, 제 1 기공의 하단면을 관통하며, 제 1 기공의 직경보다 크거나 작도록 형성되는 제 2 기공, 제 2 기공의 하단면을 관통하며, 제 1 기공의 직경과 동일 또는 유사한 크기로 형성되는 제 3 기공, 제 1 기공, 제 2 기공, 제 3 기공으로 구성되는 기공부를 하나 이상 포함한 것을 특징으로 하는 수직정렬형 다공성 실리콘에 관한 것이다.본 기술에 따라 실리콘에 이중구조를 갖는 기공부를 형성시킴으로써, 종래의 다공성 실리콘에 비하여 표면적이 향상된 실리콘을 가질 수 있을 뿐만 아니라, 각 기공별로 전자소재의 주입이 가능하여 주입된 전자소재의 경계선을 용이하게 형성시킬 수 있는 효과가 있다.