일반기술

나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법

본 기술은 나노 임프린트 방식을 이용하는 간단한 공정을 통해 비정질 실리콘의 결정화 과정시 나노 패턴을 함께 형성하는 새로운 나노 패턴 방법을 구현함으로써, 비정질 실리콘 기반에서 복잡한 포토리소그래피 공정 없이도 간단하게 전하 이동도 특성이 뛰어난 다결정 실리콘 나노 패턴을 제조할 수 있는 나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 기술은, 비정질 실리콘 기반에서 TFT를 제조하기 위한 다결정 나노 패턴 제조방법에 있어서, 절연 기판상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와, 비정질 실리콘층을 포함하는 기판상에 전사될 패턴을 가지는 임프린트 마스크를 올려놓는 단계와, 임프린트 마스크가 놓여진 기판에 레이저를 조사하여 임프린트 마스크를 투과한 레이저가 조사된 부분의 실리콘을 용융시킴에 따라 임프린트 마스크의 패턴을 따라 교합된 실리콘 패턴을 얻는 동시에 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법을 제공한다.나노 임프린트 방식을 이용한 다결정 나노 패턴 제조방법에 의하면, 나노 임프린트 방식을 비정질 실리콘의 결정화 과정에 적용하여 결정화 및 나노 패턴을 동시에 형성하는 새로운 나노 패턴 방법을 구현함으로써, 비정질 실리콘 기반의 TFT 제조시 복잡한 포토리소그래피의 공정 없이도 간단하게 전하 이동도 특성이 뛰어난 다결정 실리콘 나노 패턴을 제조할 수 있는 장점이 있고, 또한 기존 설비를 이용하여 대량으로 패턴을 생산할 수 있는 장점이 있으며, 이를 통해 초소형, 초경량화 된 디스플레이의 실현에 대한 요구에 적극 대처할 수 있는 효과가 있다.