일반기술

(과산화수소+불산)과 (UV/오존+불산)에 의한 실리콘 기판상의 금속 불순물 제거

ULSI 제조기술개발이 고집적화를 향해 활발히 이루어짐에 따라 소자에 사용되는 박막의 극미세화가 이루어졌고 따라서 박막의 특성에 큰 영향을 미칠 수 있는 Si 기판 세정 기술에 대한 관심이 상당히 높아지고 있다. 쭤히 최근 활발히 연구되고 있는 giga급 이상의 소자에 있어 단위공정의 수가 증가함에 따라 유기물이나 산화물, 파티클, 금속 불순물 등에 의한 오염의 가능성이 증가되었으며 이의 방지를 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 금속불순물의 경우, minority carrier life time, junction leakage current, break down voltage 등 소자의 전기적 특성에 매우 나쁜 영향을 미치므로 반드시 제거 되어야만 한다. 그러나 일반적으로 금속불순물의 제거를 위해 사용되어온 SC-2(HCl+H2O2+H2O) 세정의 경우 알카리 금속의 제거에는 효과적이나 귀금속의 경우에는 제거가 힘든 것으로 보고되어 있다. 본 연구에서는 금속불순물중 실제 공정에서 잘 오염되는 것으로 알려진 Cu를 인위적으로 Si 기판에 오염시킨 후 H2O2와 HF를 혼합시킨 용액을 이용한 세정과 UV/O3 허 HF 용액을 이용한 세정 등 두가지 다른 세정 방법을 실시한 후 잔류 불순물의 양, Si 표면의 미세 거칠기, Cu impurity 의 흡착형태 등을 TXRF, AFM, SEM, TEM, XPS, AES 등을 이용하여 분석하려한다.