일반기술

전계 방출 표시 소자의 제조방법

본 기술은 전계 방출 표시 소자를 제조하는 방법으로서, 금속막 상단의 일 지점에 탄소나노튜브로 이루어지는 생장점을 형성시키는 단계와, 탄소나노튜브를 다량 함유하고 있는 전해질 용액의 일 측에 대전 극판을 위치시키고 전해질 용액의 타 측에 탄소나노튜브의 생장점이 형성된 부분을 대전 극판에 대향하도록 기판을 위치시키는 단계와, 대전 극판 및 기판 각각에 전원을 인가하여 전해질 용액에 함유된 탄소나노튜브를 기판의 탄소나노튜브 생장점 부분에 전기화학적으로 부착시키는 단계를 포함하여 이루어지는 전계 방출 표시 소자의 제조방법을 제공함을 그 기술적 특징으로 한다. 또한, 본 기술이 제공하는 다른 기술적 특징은 탄소나노튜브 에미터 형성 단계 이후에, 금속막 상단에 부착된 탄소나노튜브 에미터와 금속막 사이의 결합력을 증진시키기 위해 기판을 열처리하고 고전압을 인가하는 고온열처리 및 어노딕본딩 단계가 더욱 부가되는 전계 방출 표시 소자의 제조방법이다. 본 기술은 전계 방출 표시 소자를 제조하는 방법으로서, 금속막 상단의 일 지점에 탄소나노튜브로 이루어지는 생장점을 형성시키는 단계와, 탄소나노튜브를 다량 함유하고 있는 전해질 용액의 일 측에 대전 극판을 위치시키고 상기 전해질 용액의 타 측에 탄소나노튜브의 생장점이 형성된 부분을 대전 극판에 대향하도록 기판을 위치시키는 단계와, 양극판 및 기판 각각에 전원을 인가하여 전해질 용액에 함유된 탄소나노튜브를 기판의 탄소나노뷰브 생장점 부분에 전기화학적으로 부착시키는 단계를 포함하여 이루어지는 전계 방출 표시 소자의 제조방법을 제공함을 그 기술적 특징으로 한다.또한, 본 기술이 제공하는 다른 기술적 특징은 탄소나노튜브 에미터 형성 단계 이후에, 금속막 상단에 부착된 탄소나노튜브 에미터와 금속막 사이의 결합력을 증진시키기 위해 기판을 열처리하고 고전압을 인가하는 고온열처리 및 어노딕본딩 단계가 더욱 부가되는 전계 방출 표시 소자의 제조방법이다.