일반기술

갈륨나이트라이드 박막 위에 에피탁셜 성장된 갈륨옥사이드 투명 전계효과 트랜지스터 제조방법 및 그 트랜지스터

본 기술은 투명 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로서, 사파이어(Al2O3) 기판 위에 갈륨나이트라이드(GaN) 박막을 증착시키는 박막증착단계와 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 위에 소스-드레인영역을 형성시키는 소자영역형성단계와 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 위에 산소공급률 1~15sccm 하에서 갈륨옥사이드(Ga2O3) 박막을 상기 갈륨나이트라이드(GaN) 박막에 대해 에피탁셜(epitaxial)하게 증착시켜 절연층을 형성시키는 게이트절연층형성단계와 게이트절연층 위에 투명전도성 산화물 박막을 형성시키는 게이트전극형성단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 위에 에피탁셜(epitaxial) 성장된 갈륨옥사이드(Ga2O3) 투명 전계효과 트랜지스터 제조방법 및 이에 의해 제조된 전계효과 트랜지스터를 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 상면에 갈륨옥사이드(Ga2O3)를 증착시키므로써, 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 상면의 갈륨옥사이드(Ga2O3) 박막이 화학적으로 안정적으로 증착되고, 갈륨옥사이드(Ga2O3) 자체가 갈륨나이트라이드(GaN)의 고유 옥사이드(native oxide)가 되어 갈륨나이트라이드(GaN) 박막의 표면 오염을 최소화시켜 갈륨나이트라이드(GaN) 및 갈륨옥사이드(Ga2O3) 계면에서의 오염을 막을 수 있어 고품위의 박막을 증착시킬 수 있는 이점이 있으며, 또한, 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 상면에 갈륨옥사이드(Ga2O3)는 산소공급률에 따라 에피탁셜(epitaxial)하게 증착되어, 높은 비등방물리적 특성을 가지고 있고, 깊은(deep) 자외선(UV) 영역에서도 투명하여 투명한 전계효과 트랜지스터뿐만 아니라, 도파관, UV디텍터, UV-visible 광학장치, 전자광학(EO) 등 다양한 분야에 효과적으로 적용할 수 있을 것으로 기대되고 있다.