일반기술
반도체 메모리 장치의 기판 전압을 발생하는 전하 펌프
본 발명은 반도체 메모리 장치의 기판 전압을 발생하는 전하 펌프에 관한 것이다. 본 발명의 전하 펌프는 클럭 신호를 받아서 이를 반전시키는 인버터, 상기 클럭 신호와 제1 노드 사이에 연결된 제1 캐패시터, 상기 인버터의 출력단과 제2 노드 사이에 연결된 제2 캐패시터, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드에 연결되며 상기 제2 노드에 접지 전압이 발생할 때 비활성화 되고 상기 제2 노드에 마이너스 전원전압이 발생할 때 완전히 활성화되는 제1 PMOS 트랜지스터, 및 상기 제1 노드와 제2 노드에 연결되며 상기 제1 노드에 접지 전압이 발생할 때 비활성화되고 상기 제1 노드에 마이너스 전원전압이 발생할 때 완전히 활성화되는 제2 PMOS 트랜지스터를 구비하고, 상기 제2 노드로부터 출력이 발생하는 전하 펌프를 제공한다. 따라서, 전하 펌프의 펌핑 효율이 향상되며, 전력 소모도 감소된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 고려대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-04-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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