일반기술
나노 입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
본 발명은 나노입자를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 특히 열처리된 나노입자를 활성층으로 이용하고, 그 위에 게이트 절연막을 형성시킴으로써, 저전압 구동이 가능하고 저온에서도 제작이 가능하도록 한 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 발명의 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법을 이루는 구성수단은, 기판에 나노입자 필름을 형성시키고 열처리 하는 단계, 상기 나노입자 필름에 소스 전극과 드레인 전극을 형성시키는 단계, 상기 소스와 드레인 전극이 형성된 나노입자 필름 상부에 절연체를 증착시켜 게이트 절연막을 형성시키는 단계, 상기 게이트 절연막 상부에 전면 게이트 전극(topgate electrode)을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 고려대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-04-07
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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