일반기술

방사선 조사에 의한 폴리이미드 공중합체의 개질 방법

본 발명은 방사선 조사에 의한 폴리이미드 공중합체의 개질 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 층간 물질(interlayer dielectric; ILD) 또는 금속 배선의 층간 물질(intermetallic dielectric; IMD)로 주로 사용되며 유전률이 작아 반도체 소자 및 금속 배선 사이의 신호 방해(cross-talk) 현상을 감소시킬 수 있는 반도체용 절연막을 방사선 조사에 의해 폴리이미드 공중합체를 개질하여서 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방사선 조사에 의한 폴리이미드 절연막의 개질방법에 따르면, 폴리이미드 자체의 양호한 물리적 특성은 유지하면서도 유전상수 및 흡습률을 저하시킬 수 있어서 폴리이미드 절연막의 절연특성이 향상되어 본 발명에 따른 개질된 폴리이미드 절연막을 적용하여 반도체 소자 및 금속배선간의 상호 신호 방해(cross talk) 현상을 획기적으로 저하시킬 수 있다.