일반기술
펜타센 유기박막 트랜지스터의 제조방법
펜타센 유기박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다.본 발명에 따르는 펜타센 유기박막 트랜지스터의 제조방법은 진공챔버의 내상측에 기판을 고정시키고, 진공챔버의 내하측에 배치된 크루서블의 내부에 있는 펜타센을 가열하는 단계, 상기 가열된 펜타센이 승화되어 상기 크루서블의 상부에 구비된 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계 및상기 기판은 상온으로 유지되는 동시에 그 하부에 상기 클러스터가 충돌하며 균일하게 증착되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 클러스터빔 증착방법을 이용하여 피증착물을 가열하지 않고 또한, 별도의 추가적인 공정 없이 유기박막의 결정도를 높이는 한편, 계면활성제를 이용하여 유기박막이 성장될 게이트 유전층의 표면에 결정도가 높은 유기박막이 균일하게 증착될 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 화학 > 기타 화학
- 보유기관
- 고려대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-04-07
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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