일반기술
질화물 반도체 및 그 제조 방법
본 발명은 질화물 반도체 제조 방법 및 질화물 반도체를 개시한다. 본 발명의 질화물 반도체 제조 방법은, 종래의 사파이어 기판 또는 실리콘 기판 상에 직접 질화물을 증착하여 질화물 반도체를 제조하는 경우에, 기판과 질화물간의 격자 상수 차이 및 열팽창 계수 차이로 인하여 발생하는 문제점을 해결하기 위해서, 질화물 반도체 제조용 기판과 질화물간의 격자 상수 차이 및 열팽창 계수 차이를 경감시키도록 기판 상에 격자 정합을 제어할 수 있는 중간층을 희토류계 원소를 이용하여 형성하고, 형성된 중간층상에 질화물을 에피 성장시킴으로써 제조된다.따라서, 본 발명은 질화물 성장 시 발생하는 격자 결함을 억제하여 품질이 양호한 질화물 반도체를 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 사이즈가 큰 실리콘 기판을 질화물 반도체 기판으로서 사용할 수 있으므로 질화물 반도체의 생산성을 현저하게 향상 시킬 수 있는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 고려대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-04-07
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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