일반기술
다중 게이트를 적용한 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 및그 제조 방법
다중 게이트를 적용한 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다.본 발명은 반도체 소자에 있어서, 하나의 셀 피치 내에서, 상기 셀의 중심에 형성된 제1 폴리 실리콘 게이트, 상기 셀의 가장자리의 측벽으로 형성된 제2 폴리 실리콘 게이트, 상기 제1 폴리 실리콘 게이트와 제2 폴리 실리콘 게이트 사이에 도전체로 형성된 제1 전극 및 상기 셀 외곽에 제2 폴리 실리콘 게이트와 인접하게 도전체로 형성된 제2 전극을 포함한다. 본 발명에 의하면, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 정방향 차단 전압(Forward Blocking Voltage) 특성, 온 상태 전압강하(On-State Voltage Drop) 특성, 래치업 전압 및 래치업 전류 특성이 향상시킬수 있고, 전류용량을 최대화할 수 있으며, 제조 공정을 단순화 시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 통신 > 기타 전파 기술
- 보유기관
- 고려대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-04-07
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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