일반기술

산화인듐 나노육면체의 제조방법 및 이에 의해 제조된산화인듐 나노육면체

본 발명은 산화인듐 나노육면체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 산화인듐 나노육면체에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, (a) In(O-iPr)3, 올레산, 올레일아민 및 상기 In(O-iPr)3을 기준으로 증류수 5 내지 15 당량을 포함하는 혼합용액을 제조하는 단계, (b) 상기 혼합용액을 교반하며 상압하의 상온 내지 110℃의 온도로 가열하는 단계, (c) 상기 (b)단계의 결과물을 상압하에서 280℃ 내지 380℃로 가열하여 탈수시키는 단계 및 (d) 상기 (c) 단계의 결과물을 상온으로 냉각시킨 후 알코올을 첨가하여 침전물을 얻는 단계를 포함하는 산화인듐 나노육면체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 산화인듐 나노육면체에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상대적으로 낮은 온도 및 상압하에서 In(O-iPr)3을 가수분해함으로써 준안정상태의 h-In2O3 나노육면체를 용해가능한 형태로 제조할 수 있으며, 계면활성제의 사용량 및 반응조건을 조절함으로써 각기 다른 크기를 갖는 h-In2O3 나노육면체를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따라서 제조된 h-In2O3 나노육면체는 기체센서, 태양전지, 액정 디스플레이 장치 등과 같은 광범위한 분야에 적용되어 나노 두께의 박막을 형성할 수 있고, 양자효과도 발생되며, 크기가 작고 유기용매에 대한 가용성이 우수하기 때문에 가공성이 뛰어나다.