일반기술
분할형 애노드를 갖는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 및그 제조방법
분할형 애노드를 갖는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명은 실리콘의 전면층에 불순물을 주입하여 생성된 캐소드 영역, 상기 실리콘의 전면층에서 상기 캐소드 영역에 접하여 게이트 절연물질 및 게이트 도전체로 형성된 게이트, 상기 실리콘의 후면층에 복수의 트렌치가 형성되고, 상기 형성된 트렌치에 채워진 절연물질에 의해 복수의 영역으로 분할된 분할형 애노드 영역 및 상기 캐소드 영역 및 상기 분할형 애노드 영역 사이의 캐리어를 전달하는 드리프트 영역을 포함한다. 본 발명에 의하면, 절연 물질에 의해 분할된 애노드 영역을 구비함으로써, 별도로 정공을 제거하지 않고도 트랜지스터의 스위칭 속도를 향상시키고, 온 상태의 저항을 감소시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전력전자 기술
- 보유기관
- 고려대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-04-07
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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