일반기술
빛을 투과하는 게이트 전극을 가지는 ＭＯＳ 구조를포함하는 이미지 센서
본 기술은 이미지 센서에 관한 것으로서, 포토 다이오드를 포함하고, 빛을 투과하는 전도성 층 및 유전체 층이, 포토 다이오드의 디퓨젼 영역에 인접하여 포토 다이오드의 서브스트레이트 위에 올려진 구조를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 의한 이미지 센서는, 종래 기술에 의한 CMOS 이미지 센서에서 감지할 수 있는 빛보다 더 약한 세기의 빛을 감지하고, 동시에 동일한 이미지 센서에 의하여 종래 기술에 의한 CMOS 이미지 센서에서 구분할 수 있는 빛보다 더 센 세기를 가지는 빛을 구분하는 측정값을 출력하므로 측정할 수 있는 빛의 세기의 영역이 커져서 결과적으로 동적 영역 특성이 개선된 효과를 달성한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 경상대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-12-31
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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