일반기술
발광 다이오드 제조방법(METHOD FOR MANUFACTURING LED)
낮은 콘택 저항을 갖는 발광 다이오드 제조방법으로, 기판상에 n형 GaN 에피택셜층, 활성층, p형 GaN 에피택셜층을 순차적으로 형성하고, 활성층 및 p형 GaN 에피택셜층을 패터닝하여 n형 GaN 에피택셜층의 소정영역을 노출시킨 후, 노출된 n형 GaN 에피택셜층내에 Li+, Na+, K+, Rb+, Cs+ 중 어느 하나의 이온을 주입하고, n형 GaN 에피택셜층 및 p형 GaN 에피택셜층상에 전극을 형성함으로써, 낮은 콘택 저항값을 얻을 수 있고 공정이 간단하며 매우 경제적이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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