일반기술
발광다이오드및그제조방법(LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME)
발광 다이오드 및 그 제조방법으로,기판상의 제 1에피텍셜층 일정영역에 활성층 및 제 2 에피텍셜층을 형성하고, 제 1 에피택셜층의 일정영역에 조성의 기울기를 갖는 TiN층, Au층 또는 Al층으로 이루어진 n형 전극을 형성한 후, 제 2 에피텍셜층의 일정영역에 p형 전극을 형성함으로써, 공정이 단순하고 전극 표면의 모폴로지가 향상되며 소자의 특성이 향상된 발광 다이오드를 제작할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.