일반기술
발광 다이오드 및 그 제조방법(LIGHT EMITTTING DIODE AND MANUFATURING OF THE SAME)
발광 다이오드 및 그 제조방법으로, 기판상에 제 1 에피택셜층, 활성층 그리고 제 2 에피택셜층을 순차적으로 형성하고, 활성층 및 제 2 에피택셜층을 패터닝하여 제 1 에피택셜층의 일정영역을 노출시킨다. 그리고, 제 1, 제 2 에피택셜층상의 소정영역에 각각 ⅢB~ⅧB 그룹으로 부터 선택된 천이금속 중 어느 하나와 Si을 순차적으로 적층한 후, 열처리 하여 실리사이드층을 형성한 다음, 실리사이드층상에 Au 또는 Al을 형성하여 제 1 에피택셜층의 소정영역에 제 1 전극을, 제 2 에피택셜층의 소정영역에는 제 2 전극을 형성함으로써, 소자의 전기적 특성이 매우 우수하고, 본딩공정이 수월하며, 공정이 간단하고 비용을 절감할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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