일반기술
반도체 소자 제조방법(METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE)
게이트전극의 길이를 짧게 하여 게이트전극의 저항을 줄이고 트랜지스터 특성의 균일도 및 공정수율을 향상시키기에 적당한 이중 리세스 반도체 소자 제조방법이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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