일반기술

화합물 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법(COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME)

레이저의 성능 및 신뢰성이 개선된 화합물 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, n형 GaN 기판 위에 n형 AlGaN/GaN 클래드층, InGaN 활성층, p형 AlGaN/GaN 클래드층, p형 GaN 전극층을 순차적으로 형성하고, p형 GaN 전극층의 소정영역에 절연막 패턴을 형성한 후, 절연막을 마스크로 p형 GaN 전극층 및 p형 AlGaN/GaN 클래드층의 일부분을 식각한다. 그리고, 식각된 p형 AlGaN/GaN 클래드층 위에 n형 GaN 전류 차단층을 형성한 다음, 절연막을 제거하고 n형 GaN 전류 차단층을 포함한 전면에 p형 GaN 전극층을 형성한 후, n형 GaN 기판 하부 및 p형 GaN 전극층 위에 각각 전극을 형성함으로써, 레이저의 수평 방사각을 향상시킬 수 있으며, 전면 전극이 가능해 금속과 반도체간의 접촉 저항을 극소화시킬 수 있어서 레이저의 신뢰성을 향상시킴과 동시에 열이 많이 발생하는 레이저의 활성층 부분을 금속 패키지에 근접시킬 수 있어 레이저의 상용화를 가능케한다.