일반기술

화합물 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법(COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME)

신뢰성이 개선된 화합물 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, GaN 기판 위에 n형 AlGaN/GaN 클래드층, InGaN 활성층, p형 AlGaN/GaN 클래드층, p형 GaN 전극층, AlyGa1-yN 절연층을 순차적으로 형성하고, AlyGa1-yN 절연층의 소정영역을 식각하여 p형 GaN 전극층을 노출시킨 다음, 노출된 p형 GaN 전극층의 활성영역만 남도록 노출된 p형 GaN 전극층 및 p형 AlGaN/GaN 클래드층의 일부분을 식각한다. 그리고, AlyGa1-yN 절연층을 포함한 전면에 p형 전극을 형성하고, GaN 기판 하부에 n형 전극을 형성함으로써, p형 전극의 면적을 넓게 함과 동시에 p형 전극과 레이저 상부면의 반도체 표면과 접촉성을 증가시키고 반도체 레이저의 열 방출을 극대화하여 신뢰성을 증가시킬 수 있다.