일반기술
강유전체를갖는커패시터의하부전극(BOTTOM ELECTRODE OF CAPACITOR WITH FERROELECTRIC)
강유전체 커패시터의 하부전극에 관한 것으로, Ti, Cr, TiW, TiN 중 어느 하나로 이루어진 제 1 층과, 제 1 층상에 형성되고 Ir로 이루어진 제 2 층과, 제 2 층상에 형성되고 IrO2로 이루어진 제 3 층과, 제 3 층상에 형성되고 Ir로 이루어진 제 4 층으로 구성함으로써, 접착력을 향상시키고 산화를 방지하며 기타 다른 전기적 특성(피로현상, 누설전류)을 향상시킨다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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