일반기술

지에이엔(GAN) 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법(GaN SEMICONDUCTOR LASER DIODE)

광디스크용 픽업(pick-up)소자로 사용할 수 있는 GaN 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 위에 제 1 도전형 질화물 반도체 전극층 및 제 1 실리콘 산화막층을 순차적으로 형성하고, 제 1 실리콘 산화막층의 일정영역을 소정 형태로 패터닝하여 제 1 도전형 질화물 반도체 전극층을 노출시킨 다음, 노출된 제 1 도전형 질화물 반도체 전극층을 일정 깊이로 에칭하여 홈을 형성하고, 홈의 밑면에 제 2 실리콘 산화막층을 형성한다. 그리고, 홈의 측면으로부터 홈 외부의 제 1 실리콘 산화막층 위의 일부까지 제 1 도전형 질화물 반도체층을 성장시키고, 제 1 도전형 질화물 반도체층 위에 제 1 도전형 클래드층, 활성층, 제 2 도전형 클래드층, 제 2 도전형 질화물 반도체 전극층을 순차적으로 성장시켜 광 공동 거울을 형성한 후, 제 1, 제 2 도전형 질화물 반도체 전극층 위에 각각 전극을 형성함으로써, 광 공동 거울 형성시에 필요한 건식식각 공정과 이에 수반되는 포토리소그래피 공정 및 부수 공정들을 생략할 수 있어 전체적인 공정이 간단해지고 생산 효율을 증가시키며, 소자의 신뢰성 및 광 효율을 향상시킬 수 있다.