일반기술
질화갈륨 기판 제조방법
결함을 최소화한 질화갈륨(GaN) 기판 제조방법에 관한 것으로, 질화갈륨 기판을 다이아몬드 슬러리(slurry)로 1차 연마하고, 그 질화갈륨 기판을 보론 카바이드 플레이트로 2차 연마하며, 1차 및 2차 연마에서 발생한 질화갈륨 기판의 손상층을 반응성 이온 식각으로 제거한 후, 반응성 이온 식각된 질화갈륨 기판을 열처리하여 반응성 이온 식각에 의해 발생된 결함층의 특성을 회복시킴으로써, 매우 평활한 표면을 가지며 폴리싱에 의해 생성된 결함층이 제거된 기판을 얻게 되어 후속 박막 성장시 고품위의 박막을 얻을 수 있어 이를 이용하면 우수한 특성을 나타내는 청색 발광 소자를 제작할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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