일반기술
레이저 다이오드 및 그 제조방법_
격리(isolation) 구조를 갖는 고출력 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판상에 제 1 도전형 클래드층, 활성층, 제 2 도전형 클래드층, 제 2 도전형 캡층을 순차적으로 성장시키고, 식각 과정을 거쳐 제 2 도전형 캡층의 일정영역을 제거한다. 이어, 제 2 도전형 캡층을 포함한 전면에 유전막을 형성하고 일정 영역의 유전막을 제거하여 제 2 도전형 클래드층을 노출시킨 다음, 남아 있는 유전막을 마스크로 노출된 제 2 도전형 클래드층 및 그 하부의 활성층과 제 1 도전형 클래드층의 일부분을 식각한다. 그리고, 식각된 제 1 도전형 클래드층상에 제 2 도전형 전류차단층 및 제 1 도전형 전류차단층을 차례로 형성한 후, 남아 있는 유전막을 제거하고, 기판의 최상층 및 기판 하부에 금속층을 형성함으로써, 고온, 고출력의 레이저 다이오드 어레이 제작을 용이하게 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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