일반기술
GAN계화합물반도체및그의결정성장방법
사파이어 기판상에 InxAl1-XN 결정을 중간완충층으로 이용하여 GaN 혹은 InxGa1-XN의 GaN계 화합물 반도체를 결정성장시킴으로써 격자 부정합에 따른 결정성 결함의 밀도를 크게 줄일 수 있는 GaN계 화합물 반도체 및 그의 결정성장 방법을 제공하기 위한 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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