일반기술
질화갈륨 반도체 기판 제조 방법(method for fabricating GaN semiconductor substrate)
청색 및 녹색 대역 파장을 갖는 질화갈륨 반도체 기판의 제조 방법에 대한 것으로, 기판 위에 성장시킨 질화갈륨막 상의 일정 영역들에 제 1마스크 패턴들을 형성하고 이 제 1마스크 패턴들을 마스크로 질화갈륨막을 일정 깊이로 제거하여 트랜치(trench)들을 형성한다. 그리고 나서, 제 1마스크 패턴들을 제거하고 트랜치들의 측면을 제외한 질화갈륨막 전면 위에 제 2마스크 패턴들을 형성한 후, 제 2마스크 패턴이 형성된 질화갈륨막 상에 1차 질화갈륨막을 성장시키고, 2차 질화갈륨막을 성장시키는 단계를 포함한다.따라서, 이와 같은 제조 방법을 따르면, 두꺼운 질화갈륨 기판을 이용할 수 있는 이점이 있고, 균열(crack)과 같은 고밀도 결정성 결함 및 손상을 줄인 고품질의 질화갈륨 반도체 기판을 제조할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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