일반기술
Ⅲ-Ｖ족 ＧａＮ 반도체 광소자 (Ⅲ-Ⅴ group GaN semiconductor optical devices)
Ⅲ-Ⅴ족 GaN 반도체 광소자에 관한 것으로, 발광 다이오드 칩의 p형 전극과 n형 전극 위에 도전성 보조 기판이 부착된 구조로 이루어진다. 여기서, 보조 기판은 도전성 기판과, 도전성 기판 상부에 형성되고 p형 전극과 n형 전극에 각각 대응되어 부착되는 제 1, 제 2 전극과, 도전성 기판과 제 1 전극 사이에 형성되는 절연층과, 도전성 기판 하부에 형성되는 제 3 전극으로 구성된다. 이와 같이, 구성된 도전성 보조 기판을 통해 열이 효과적으로 방출되고, 몰딩시 수지의 압력이 소자의 표면을 통해 활성층에 미치는 것을 막아주며, p형 면적의 대부분을 두꺼운 금속 전극으로 활용할 수 있어 p형 반도체와 금속 전극간의 저항을 감소시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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