일반기술
질화물 반도체 및 그 제조 방법(Nitride Semiconductor and Growing Method for the same)
질화물 반도체 및 그 성장 방법을 제공하기 위한 것으로서, 질화물 반도체 성장 방법은 기판의 상부면에 제 1 질화물 반도체막을 형성한 후 기판의 하부면에 제 2 질화물 반도체막을 형성하는 단계로 이루어지며, 제 1 질화물 반도체막 상부 및 제 2 질화물 반도체막 하부에 상부, 하부의 순서로 질화물 반도체막을 한 번 이상 반복하여 형성하는 단계를 더 포함하여 구성되며, 기판의 후면에 질화물 반도체막으로 평형층을 성장시킴으로써, 크랙과 구부러짐이 없는 질화물 반도체막을 성장시킬 수 있게 되어 소자 제작을 위한 프리 스탠딩(free standing) 기판을 용이하게 제작할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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