일반기술

질화물 반도체막 성장 방법(Growing Method for Nitride Semiconductor Film)

질화물 반도체막 성장 방법을 제공하기 위한 것으로서, 기판 위에 제 1 GaN 에피 박막층을 형성하고 제 1 질화물 에피 박막층 위에 마스크 물질을 형성한 후, 제 1 질화물 에피 박막층의 소정 영역이 노출되도록 마스크 물질을 식각하여 마스크를 형성하는 단계와, 노출된 제 1 질화물 에피 박막층 위에 제 2 질화물 에피 박막층을 성장시켜 마스크의 소정 영역이 노출되도록 마스크의 측면 및 소정의 상면까지 성장시키는 단계와, 마스크를 제거하고 마스크가 제거된 기판 위에 제 3 질화물 에피 박막층을 후속 성장하는 단계로 구성되며, 측면 성장에 의해 표면으로 전달되는 전파 전위(threading dislocation)의 밀도를 낮추고, 마스크를 중간에 제거하여 줌으로써 마스크와 질화물 에피 박막층 사이에 발생하는 응력을 제거하여 결정학적인 방향의 기울어짐 현상을 억제하여 결함의 밀도를 감소 및 기판 위에 크랙이 발생하지 않는 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체의 이종 구조를 형성할 수 있다.