일반기술

질화물 반도체 및 그 성장 방법(Nitride Semiconductor and Growing Method for the same)

질화물 반도체 및 그 성장 방법을 제공하기 위한 것으로서, 질화물 반도체 성장 방법의 특징은 제 1 질화물 반도체층이 형성되는 단계와, 제 1 질화물 반도체층 위에 소정의 시간 동안 In 원을 유입하여 제 1 물질층이 형성되는 단계와, 제 1 물질층이 변형되어 소정 형상을 갖는 제 2 물질층이 형성되는 단계와, 제 2 물질층 위에 국부적인 In 조성을 갖고 활성층으로 이용되는 제 2 질화물 반도체층을 형성하는 단계로 구성되며, 미리 In 원을 일정 시간 동안 흘려준 후에 InGaN 박막층을 형성하기 때문에 InGaN 박막층이 형성될 결정면 위에 In의 조성이 높은 영역이 형성되어 발광 소자의 활성층으로 이용될 InGaN 박막내의 In의 인입 효율이 증진되어 장파장 발광이 가능하게 하는 높은 In 조성을 가지는 InGaN 박막의 형성이 가능하고, 전체 조성비에 비해 높은 In 조성을 가지는 미세 영역 형성이 용이하므로 광특성이 증진되는 효과를 가진다.