일반기술
반도체 레이저 다이오드(semiconductor laser diode)
고출력용 브로드 웨이브가이드 타입(broad waveguide type) 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, 양자우물인 활성층 옆에 두꺼운 양자 장벽 또는 다중 양자 장벽을 설치하여 캐리어 컨파인먼트(carrier confinement)를 증가시키고, 빛은 퍼지게 하여 고출력과 좁은 파-필드 패턴(far-field pattern)을 동시에 얻을 수 있으며, COMD(Catastrophic Optical Mirror Damage)에 이르는 내부 파워 밀도(internal power density)를 높일 수 있다. 또한, 양자 장벽의 두께와 높이를 조절하여 원형에 가까운 파-필드 패턴을 얻을 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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