일반기술
질화물계 반도체 성장 방법(method for growing nitride semiconductor)
청색 파장 대역의 질화물계 반도체 성장 방법에 관한 것으로서, 기판 위에 질화물계 버퍼층을 대기압보다 낮은 압력에서 성장시키고, 압력을 대기압으로 올린 후, 질화물 결정 성장을 위한 일정 온도까지 온도를 올리고, 버퍼층의 그레인이 최적의 상태가 될 때까지 일정 시간이 경과 후 기압을 다시 낮춘 다음, 고온의 질화물 반도체층을 성장시킨다. 여기서, 버퍼층의 성장 온도는 400∼1000℃이고, 버퍼층의 두께는 10∼100nm으로 하며, 질화물계 반도체 성장시, 질화물 결정 성장을 위한 일정 온도까지 온도를 올리는 램프 시간은 15∼25분으로 한다. 이와 같이 제작되면 그레인(grain) 크기가 큰 버퍼층을 얻을 수 있고, 이 버퍼층 위에 성장되는 질화물의 결정학적, 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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