일반기술

청색 반도체 레이저 및 그 제조방법(BLUE SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING METHODTHEREOF)

기판의 상부전면에 순차적층된 버퍼층 및 n-GaN층과; n-GaN층의 상부일부에서 순차적으로 적층된 InGaN층, n-AlGaN층, n-GaN층과; n-GaN층의 상부일부에 위치하는 N형전극과; N형전극으로 부터 소정거리 이격되는 위치에서, InGaN층, n-AlGaN층, n-GaN층의 측면전체와 그 주변부의 n-GaN층의 상부에 위치하는 p-GaN층과; p-GaN층의 상부전면에서 순차적으로 적층된 p-AlGaN층, p-GaN층, n-GaN층과; 노출된 n-GaN층의 상부와 n-GaN층의 상부전면에서 순차적으로 적층된 n-GaN층, 다중양자우물 활성층(MQW), p-GaN층, 전자차단층, p-AlGaN층, p-GaN층와; n-GaN층의 상부측과 그 주변부의 p-GaN층의 상부에서 소정면적을 갖도록 위치하는 P형전극으로 구성되어 밴드갭이 크고 굴절율이 작은 AlGaN층으로 가둠효과를 증대시켜 상대적으로 낮은 발진개시 문턱전류를 가지는 효과가 있는 청색 반도체 레이저 및 그 제조방법에 관한 것이다.