일반기술
반도체 레이저 다이오드(Semiconductor Laser Diode)
고출력 레이저 다이오드는 N형 클래드층과, P형 클래드층과, 이 클래드 층들 사이에 형성되는 활성층과, 층들의 전면과 후면의 벽개면에 각각 미러를 갖는 레이저 다이오드에 있어서, 양 면의 벽개면들에 각각 형성되는 GaN 층, GaN 층 위에 각각 형성되는 SiN 층, 전면 벽개면의 SiN 층 위에 형성되는 저반사율 미러, 후면 벽개면의 SiN 층 위에 형성되는 고반사율 미러를 포함하여 구성된다. 따라서, GaN 층을 도입함으로써 신뢰성 높은 소자의 특성을 보여주고, 또한, SiN 박막은 외부의 산소 공급원을 효과적으로 차단하여 신뢰성을 높여주며, 동시에 고 굴절률의 TiO2 반사막은 COD 레벨을 일반적인 반사막에 비하여 증가시켜서, 고출력 동작을 가능하게 하는 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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