일반기술
ＬＥＤ/ＬＤ의 ｐ-콘택층 성장 방법(p-Contact Growth Method of Light Emitting Diode/LaserDiode)
광을 생성하는 활성층과, 활성층 양측에 형성되고 광을 가이드하는 p, n-클래드층, p-클래드층 상에 형성된 p-콘택층, 전극을 구비한 LD/LED 제조에 있어서, p-콘택층은 In원을 구비하고 In조성을 점차적으로 변화시켜 에너지 대역폭이 활성층의 에너지 대역폭보다 큰 물질 조성을 갖도록 In이 결합되어 형성되며, p-콘택층 성장시 In이 성장에 이용되어 낮은 온도에서 성장이 가능하고, In의 유입 및 낮은 온도로 인해 p-도펀트의 인입이 상대적으로 용이해져 p-콘택층의 도핑 농도가 높아지고, In의 유입으로 p-콘택층의 에너지 대역폭이 감소하여 p-도펀트의 활성화를 촉진하여 정공농도를 증가시킬 수 있는 LED/LD의 p-콘택층 성장 방법을 제공하기 위한 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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