일반기술
ＧａＮ 기판 제조 방법(method for overgrowth GaN layer)
기판과 질화물 간에 높은 결함밀도를 극소화하여 우수한 박막을 얻을 수 있도록 하기 위한 것으로서, 기판 위에 제 1 GaN층을 형성하는 단계와, 제 1 GaN층 위의 소정영역에 V 홈 형태의 결함을 갖는 결함 감소층을 형성하는 단계와, V 홈의 하부를 제외한 전위 차단층 위에 제 2 GaN 층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 그에 따라 간단한 제조 공정과, 결함밀도의 감소가 기판 전면적에 이루어지는 ＧａＮ 기판 제조 방법에 관한 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.