일반기술
고 광전 효율을 가지는 반도체 레이저 다이오드(Semiconductor laser diode array having high photoelectricity efficiency)
화합물 반도체 기판의 상부에, n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, p-웨이브 가이드층, 중앙에 리지를 포함한 전류방지층과 p-캡층이 순차적으로 적층된 화합물 반도체 층을 구비한 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 리지를 포함한 전류방지층의 상부에 p-클래드층이 더 형성되어 있고; n-클래드층의 두께는 리지와 p-클래드층이 합쳐진 두께와 동일하도록 구성함으로써, 고 광전 변환 효율을 가지고, 이에 따라 구동전류 및 구동전압의 감소를 가질 수 있는 효과를 가지는 고 광전 효율을 가지는 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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