일반기술
반도체 레이저 다이오드의 제조방법(Method for manufacturing semiconductor laser diode)
반도체 제이저 다이오드 제조방법에 관한 것으로, p-전극과 n-전극이 형성될 영역을 제외하고 포토레지스트층을 패터닝하는 단계와; p-전극과 n-전극이 형성될 영역에 금속을 증착하여 p-전극과 n-전극을 형성하는 단계와; 포토레지스트층을 제거하여, 각각 분리된 p-전극과 n-전극들을 형성하는 단계와; 분리된 p-전극과 n-전극 사이로 스크라이빙 공정을 수행하여, 각각의 반도체 레이저 다이오드를 분리하는 단계를 포함하도록 반도체 레이저 다이오드를 제조한다.따라서, 본 발명은 분리된 p-전극과 n-전극 사이로 스크라이빙하여 고품질의 미러가 형성된 반도체 레이저 다이오드를 제조할 수 있어, 소자의 전기적인 특성 향상과 수율 증가 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.