일반기술

질화물 반도체 기판 제조방법(Fabrication Method for Nitride Semiconductor Substrate)

질화물 반도체 기판 제조 방법을 제공하기 위한 것으로서, 제1 기판 상에 제1 질화물 박막을 형성하고, 그 상부에 스트라이프 형태의 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; 제1 마스크 패턴을 이용하여 제1 기판의 일부까지 제1 질화물 박막을 오버에칭하고 제1 마스크 패턴을 제거하고, 식각 측면으로부터 제2 질화물 박막을 팬디오에피택시를 이용하여 측면성장시키는 단계; 제1 기판 상부에 형성된 제2 질화물 박막 상에 돌출부를 갖는 스트라이프 형태의 제2 마스크 패턴을 형성하여 돌출부의 면적만큼 제2 질화물 박막과 제1 기판이 접합되도록 제1 및 제2 질화물 박막을 식각한 후 제2 마스크 패턴을 제거하는 단계로 이루어지며, 제1 기판과 그 상부에 형성되는 질화물 박막의 접합면적을 줄여 제1 기판으로부터 결함이 적은 질화물만으로 이루어진 기판을 얻을 수 있고 격자 상수 부정합과 열팽창 계수 차이가 없으므로 상부에 소자 구조를 성장하는 경우, 결함이 상부로 유기되지 않으므로 소자 성능을 극대화할 수 있다.