일반기술
반도체레이저 다이오드(Semiconductor Laser Diode)
반도체레이저 다이오드를 제공하기 위한 것으로서, 활성층 상하부에 리지형태의 돌출부를 갖는 제1 질화물반도체층, 제2 질화물반도체층과 전극, 그리고 리지를 둘러싸도록 두껍게 형성된 보호막을 구비하여 활성층에서 생성된 광학 웨이브함수가 전극에 겹치는 것을 방지하여 금속에 흡수되는 빛을 감소시킴으로써 소자 특성을 향상시키는데 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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