일반기술
질화갈륨 에피층 형성방법(Method for forming GaN epitaxy layer)
반응성 이온 에칭(Reactive Ion Etching, RIE)공정을 이용하여 기판의 표면위에 임의 굴곡을 형성하고, 그 상부에 측면 성장을 이용한 질화갈륨 에피층을 성장시켜, 결함농도를 감소시킬 수 있는 질화갈륨 에피층 형성방법에 관한 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-02
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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