일반기술

낮은 누설전류를 갖는 ＦＩＮ 전계효과트랜지스터 및 그제조 방법

기술개요및특징본 기술은 낮은 누설 전류를 갖는 Fin 전계효과트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. Fin 전계효과트랜지스터는 벌크 실리콘 기판, 기판위에 패터닝되어 형성된 담장형 바디, 기판의 표면과 담장형 바디의 일정 높이까지 형성된 절연막, 절연막이 형성되지 않은 담장형 바디의 측벽 및 상부 표면에 형성되는 게이트 절연막, 게이트 절연막위에 형성되는 게이트 전극, 게이트 전극이 형성되지 않은 상기 담장형 바디의 소정의 영역에 형성되는 소오스/드레인 영역을 포함한다. 게이트 전극은 일함수가 서로 다른 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극이 서로 접촉되어 형성되고, 특히 일함수가 작은 제2 게이트 전극이 드레인 쪽으로 배치되도록 한다. 그 결과, 본 기술에 따른FinFET은 게이트 전극에 일함수가 큰 물질을 사용하여 문턱전압을 증가시키되, 드레인과 겹치는 게이트 전극의 일함수를 낮춤으로써 GIDL(Gate Induced Drain Leakage)을 감소시킬 수 있게 된다.