일반기술
질화물 반도체 및 그 제조방법
<기술의 개요>본 기술은 인장력 또는 압축력 하의 질화갈륨층 성장에 따라 상기 질화갈륨층의 대역 특성을 조절할 수 있는 질화갈륨 반도체 및 그 제조방법에 관한 것이다.<기술의 특징>기판상에 버퍼층을 형성하는 단계와, 버퍼층의 상부에 인위적으로 도핑을 하지않은 질화갈륨층을 형성하는 단계를 포함하고; 인장력하에서 질화갈륨층을 성장시켜 질화갈륨층이 p형 대역 특성을 갖게 하고, 압축력하에서 질화갈륨층을 성장시켜 질화갈륨층이 n형 대역 특성을 갖게 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 및 그 제조방법을 제안한다
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
- 보유기관
- 경북대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-03
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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