일반기술
피형 금속 산화막 반도체 게이팅 셀을 이용한 강유전체메모리
<기술의 개요>본 기술은 PMOS 게이팅 셀을 이용한 강유전체 메모리를 제공하기 위한 것으로, 하나의 PMOS 액세스 트랜지스터와 하나의 강유전체 커패시터로 PMOS 게이팅 셀을 구성하고, PMOS 게이팅 셀의 플레이트는 데이터 노드에 서로 다른 극성의 전압을 인가할 수 있도록 그라운드에 접지되며, VDD 혹은 -VDD 전압이 비트라인을 통해 셀 데이터 노드에 인가되도록 구성함으로서, PMOS 게이팅 셀을 이용하여 메모리 셀 효율을 향상시킬 수 있게 되는 것이다.<기술의 특징>본 기술에 의한 PMOS 게이팅 셀을 이용한 강유전체 메모리는 PMOS 게이팅 셀을 이용하여 메모리 셀 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있게 된다
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 경북대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-04
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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