일반기술
셀법으로 단상 구리갈륨황 박막 제조
단일 원소 Cu, Ga, S을 화학양론적 조성비를 갖도록 정량화한 후 그것을 진공증착기를 사용하여 각각의 원소를 진공증착하므로서, 적층된 SEL 3층 박막을 얻은 후, 그 적층된 SEL 3층 박막을 열처리하면 양호한 화학양론적 조성비를 갖으며 단상인 CuGaS2 박막을 얻을 수 있다. 각 구성원소를 3층으로 적층한 SEL(Stacked Elemental Layer) 3층 박막을 열처리하여서 화학양론적 조성비를 갖는 3원화합물 반도체 단상 CuGaS2 박막 제조
기술정보
- 기술분류
- 에너지·자원 > 기타 에너지·자원
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-07
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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