일반기술

Ｇｄ2Ｏ3가 도핑된 ＣeＯ2계 산소이온전도체 및 그 제조방법

본 기술은 공침법(Coprecipitation Method)을 이용하여 Gd2O3가 도핑된 CeO2계 원료분말을 제조한 후 저온소결에 의하여 Gd2O3가 도핑된 CeO2계 산소이온전도체를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 기술은 소결조제로 Al2O3나 Ga2O3를 첨가하여 Gd2O3가 도핑된 CeO2계 산소이온전도체를 제조함에 의해 종래의 소결온도보다 낮은 저온에서 소결이 가능한 효과가 있다.또한 본 기술의 소결조제로 Al2O3나 Ga2O3를 질산염 상태로 첨가하고 공침법을 이용하여 미세한 Al2O3-Gd2O3-CeO2계 원료분말 또는 Ga2O3-Gd2O3-CeO2계 원료분말을 합성하므로 다성분계 공침법에서 발생하는 공정상의 어려움 없이용이하게 균일하고 미세한 원료 분말을 제조할 수 있는 효과가 있다.또한 본기술은 미세분말의 제조방법인 공침법으로 Gd2O3가 도핑된 CeO2계 미세분말을 제조할 때 소결조제를 질산염상태로 첨가하여 공침시킴으로써 균일하고 미세한 분말을 제조할 수가 있으며, 소결시 소결온도를 낮추고 소결밀도를 증가시키는 효과가 있다.