일반기술
스핀분극에 의한 전압차를 이용한 자기 메모리 소자 및 제조방법
강자성체의 자화 방향을 변화시켜서 두 가지 상태를 갖게 하며 강자성체와 반도체 사이의 전압차가 강자성체의 자화 방향에 따라 달라지는 것을 이용하여 스핀 주입 기억 소자로의 구현방법을 제안한다. 이때 이차원 전자우물 구조를 읽기(READ) 동작에서는 바이어스 전류 통로로, 쓰기 (WRITE) 동작에서는 자화반전 전류의 통로로 동시에 이용할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 전자부품
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-08
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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